Cuando la unión es polarizada directamente, los electrones de la región N se recombinarán con el exceso de huecos del material P en una región de recombinación especialmente diseñada “emparedada” que se encuentra entre los materiales tipo P y N. Durante este proceso de recombinación se irradia energía del dispositivo en forma de fotones. Los fotones generados serán reabsorbidos por la estructura o abandonarán la superficie del dispositivo como energía radiante, como se muestra en la figura 1.25.
Sus fundamentos son los mismos que para los diodos LED; encontrando la única diferencia en su espectro de radiación: la longitud de onda se sitúa fuera del espectro visible, en el rango del infrarrojo, esto es debido a que son fabricados con Arseniuro de Galio (GaAs) como se indica en el cuadro 1.2, y se emplean cuando se requiere una radiación no visible.
Figura 1.25: Estructura general de un diodo semiconductor Emisor IR
A continuación, se muestra en la figura 1.26 el flujo radiante en mW en función de la corriente directa para un dispositivo típico; obsérvese la relación casi lineal entre las dos.
Figura 1.26: Flujo radiante en mW.
Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a distancia de televisores, habiéndose generalizado su uso en otros electrodomésticos como equipos de aire acondicionado, equipos de música, etc. y en general para aplicaciones de control remoto, así como las lectoras de tarjetas y de cinta perforada, los codificadores de eje, los sistemas de transmisión de datos y las alarmas de intrusión.
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